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| 【清洗】硅拋光片的化學(xué)清洗辦法有哪些 |
| （時(shí)間:2012-7-26 10:56:52） |
硅片的表面受到比較嚴(yán)重的污染，這時(shí)候可以考慮使用如下幾種化學(xué)清洗方法進(jìn)行清潔：a.使用強(qiáng)氧化劑使“電鍍”附著到硅表面的金屬離子、氧化成金屬，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。
b.用無(wú)害的小直徑強(qiáng)正離子(如H+)來(lái)替代吸附在硅片表面的金屬離子，使之溶解于清洗液中。
c.用大量去離水進(jìn)行超聲波清洗，以排除溶液中的金屬離子。自1970年美國(guó)RCA實(shí)驗(yàn)室提出的浸泡式RCA化學(xué)清洗工藝得到了廣泛應(yīng)用，1978年RCA實(shí)驗(yàn)室又推出兆聲清洗工藝，近幾年來(lái)以RCA清洗理論為基礎(chǔ)的各種清洗技術(shù)不斷被開(kāi)發(fā)出來(lái)，例如：
⑴美國(guó)FSI公司推出離心噴淋式化學(xué)清洗技術(shù)。
⑵美國(guó)原CFM公司推出的Full-Flowsystems封閉式溢流型清洗技術(shù)。
⑶美國(guó)VERTEQ公司推出的介于浸泡與封閉式之間的化學(xué)清洗技術(shù)(例GoldfingerMach2清洗系統(tǒng))。
⑷美國(guó)SSEC公司的雙面檫洗技術(shù)(例M3304DSS清洗系統(tǒng))。
⑸日本提出無(wú)藥液的電介離子水清洗技術(shù)(用電介超純離子水清洗)使拋光片表面潔凈技術(shù)達(dá)到了新的水平。
⑹以HF/O3為基礎(chǔ)的硅片化學(xué)清洗技術(shù)。
目前常用H2O2作強(qiáng)氧化劑，選用HCL作為H+的來(lái)源用于清除金屬離子。SC-1是H2O2和NH4OH的堿性溶液，通過(guò)H2O2的強(qiáng)氧化和NH4OH的溶解作用，使有機(jī)物沾污變成水溶性化合物，隨去離子水的沖洗而被排除。由于溶液具有強(qiáng)氧化性和絡(luò)合性，能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等使其變成高價(jià)離子，然后進(jìn)一步與堿作用，生成可溶性絡(luò)合物而隨去離子水的沖洗而被去除。目前市場(chǎng)上都有售賣(mài)此類(lèi)清潔劑。
為此用SC-1液清洗拋光片既能去除有機(jī)沾污，亦能去除某些金屬沾污。SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液，它具有極強(qiáng)的氧化性和絡(luò)合性，能與氧以前的金屬作用生成鹽隨去離子水沖洗而被去除。被氧化的金屬離子與CL-作用生成的可溶性絡(luò)合物亦隨去離子水沖洗而被去除。在使用SC-1液時(shí)結(jié)合使用兆聲波來(lái)清洗可獲得更好的效果。
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